固体电子学研究与进展杂志

主办单位:南京电子器件研究所  主管单位:中国电子科技集团公司  ISSN:1000-3819  CN:32-1110/TN

固体电子学研究与进展杂志基本信息 北大期刊 统计源期刊

《固体电子学研究与进展》由杨乃彬担任主编,由南京电子器件研究所主办的一本电子类北大期刊、统计源期刊。该刊创刊于1981年。主要刊登电子学科方面有创见的学术论文,介绍有特色的科研成果,探讨有新意的学术观点提供交流平台,扩大国内外同行学术交流。本刊为双月刊,A4开本,全年定价¥220.00元。欢迎广大读者订阅或投稿。

基本信息:
ISSN:1000-3819
CN:32-1110/TN
期刊类别:电子
邮发代号:--
全年订价:¥ 220.00
出版信息:
创刊时间:1981
出版地区:江苏
出版周期:双月刊
出版语言:中文
主编:杨乃彬
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固体电子学研究与进展杂志介绍

《固体电子学研究与进展》是一本由中国电子科技集团公司主管,南京电子器件研究所主办的一本面向国内外公开发行的电子类期刊,该刊主要报道电子相关领域的研究成果与实践。该刊已入选北大期刊、统计源期刊。 影响因子为0.43 《固体电子学研究与进展》主要内容栏目有三维集成射频微系统(专栏)、器件物理与器件模拟、射频微波与太赫兹、光电子学、硅微电子学、材料与工艺、研究简讯。

《固体电子学研究与进展》主要发文机构有:南京电子器件研究所(发文量925篇),该机构主要研究主题为“晶体管;电路;放大器;单片;GAAS”;东南大学(发文量317篇),该机构主要研究主题为“电路;半导体;放大器;晶体管;集成电路”;复旦大学(发文量231篇),该机构主要研究主题为“电路;功耗;集成电路;低功耗;半导体”。

《固体电子学研究与进展》主要发文主题有电路、晶体管、半导体、放大器、集成电路、GAAS、砷化镓、单片、场效应、二极管。其中又以”电路(444篇)”居于榜首,发文量第二的是“晶体管”(403篇),发文量第三的是“半导体”(305篇),发文主题最少的是“二极管”,仅发文141篇。

固体电子学研究与进展影响力及荣誉

固体电子学研究与进展投稿注意事项

1、来稿要求:

本刊欢迎下列来稿:电子及相关学科领域的研究方面的论著,反映国内外电子学术动态的述评、论著、综述、讲座、学术争鸣的文稿,以及有指导意义的电子书刊评价等。文稿应具科学性、先进性、新颖性和实用性,内容翔实,简明扼要,重点突出,文字数据务求准确,层次清楚,标点符号准确,图表规范,书写规范。本刊不接受已公开发表的文章,严禁一稿两投。对于有涉嫌学术不端行为的稿件,编辑部将一律退稿,来稿确保不涉及保密、署名无争议等,文责自负。

2、作者简介:

述评、专家论坛、指南解读栏目来稿请附第一作者及通信作者的个人简介及近照。个人简介内容包括职称、职务、学术兼职、主要研究领域、主要研究成果、所获重大荣誉奖项等,字数以 100~300 字为宜。近照以 2 寸免冠彩色证件照为宜,格式为“.jpg”,像素不得低于 300 dpi。

3、文题:

文题力求简明、醒目,反映文稿主题,中文文题控制在 20 个汉字以内。题名中应避免使用非公知公用的缩略语、字符、代号以及结构式和公式。有英文摘要者同时给出英文文题,中英文文题含义应一致。

4、图表:

文中所有图表均需为作者自行制作而非引用他人文献中的图表。图表力求简明,设计应科学,避免与正文重复。凡能用少量文字说明的数据资料尽量不用图表。正文与表中数据应认真核对,准确无误,表内数据同一指标的有效位数应一致。

固体电子学研究与进展数据统计

  • 总发文量:1277
  • 总被引量:2651
  • 平均引文率:7.9426
  • H指数:13
  • 期刊他引率:0.837
主要发文机构分析
机构名称 发文量 主要研究主题
南京电子器件研究所 925 晶体管;电路;放大器;单片;GAAS
东南大学 317 电路;半导体;放大器;晶体管;集成电路
复旦大学 231 电路;功耗;集成电路;低功耗;半导体
中国科学院 148 晶体管;半导体;分子束;分子束外延;异质结
西安电子科技大学 116 半导体;电路;金属氧化物半导体;晶体管;碳化硅
浙江大学 77 电路;半导体;芯片;金属氧化物半导体;低功耗
清华大学 70 电路;集成电路;计算机;半导体;GAAS
天津大学 69 隧穿;电路;晶体管;共振隧穿;负阻
南京大学 68 发光;半导体;纳米;氮化镓;GAN
中国科学院微电子研究所 68 电路;低噪;低噪声;晶体管;CMOS
主要资助项目分析
资助项目 涉及文献
国家自然科学基金 823
国家高技术研究发展计划 147
国家重点基础研究发展计划 113
江苏省自然科学基金 68
中央高校基本科研业务费专项资金 50
国家科技重大专项 47
国家教育部博士点基金 44
福建省自然科学基金 26
国家重点实验室开放基金 24
河北省自然科学基金 24
年度被引次数报告
年度参考文献报告

固体电子学研究与进展文章摘录

  • 12kV 4H-SiC N沟道IGBT的设计与实现 作者:杨同同; 陶永洪; 杨晓磊; 黄润华; 柏松 点击:16
  • GaN功率器件芯片级热管理技术研究进展 作者:郭怀新; 孔月婵; 韩平; 陈堂胜 点击:26
  • 低功耗宽频频率源设计 作者:李旺; 陈文宣; 唐俊 点击:32
  • SiN钝化层对GaAs pHEMT低噪声放大器芯片耐氢效应能力的影响 作者:贾东铭; 张磊; 彭龙新; 林罡; 邹雷 点击:51
  • 非自治振荡电路的功率平衡 作者:黄炳华; 周珊; 林晓东 点击:51
  • 77GHz车载防撞雷达新型天线阵设计 作者:金良; 葛俊祥 点击:16
  • 一种新型超宽带天线设计与实现 作者:何恺; 葛俊祥 点击:10
  • 新型宽带差分带通滤波器 作者:张吉曜; 张友俊; 韩德志 点击:9
  • 基于CsPbBr3量子点与C8-BTBT复合薄膜光学稳定性的研究 作者:张春雨; 黄玲玲; 李博; 胡鹏; 陈幸福; 王向华; 胡俊涛 点击:18
  • 一种用于升压型DC-DC变换器的新型软启动电路 作者:付贤松; 张明哲 点击:7
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