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1引言
自从1960年发现导电聚合物以来,导电聚合物如聚苯胺、聚吡咯和聚噻吩受到了国内外研究者的极大关注[1]。聚苯胺一维纳米材料由于具有导电性高、比表面积大、稳定性好等特点而受到关注,被认为在传感器、储氢材料、场发射材料、闪光电弧焊和数字记忆存储领域有潜在的应用前景[2-5]。与聚苯胺纳米纤维不同的是,聚苯胺纳米棒与纳米管的形成需要特定的模板[6],典型的聚苯胺纳米棒的直径为100~200nm。聚苯胺纳米棒/纳米管通常在如醋酸、十二烷基水杨酸、水杨酸、磺基水杨酸和樟脑酸[6]等弱酸水溶液条件下产生。众所周知,纯的聚苯胺存在不可忽视的缺陷,如不易溶解、加工困难等,这给实验和应用带来了很多不便,而聚苯胺经有机磺酸掺杂后溶解和加工性能都得到较大的改善[7-12]。本文以磺基水杨酸为掺杂酸,以苯胺为单体,过硫酸铵为氧化剂,在水溶液中进行苯胺的单体氧化聚合,通过控制n(单体)/n(掺杂酸),得到形貌规整的纳米棒材料,并通过多种表征方法研究纳米棒的性质。
2实验
2.1聚苯胺纳米棒的制备
苯胺(aniline),分析纯,成都科龙化工试剂厂生产,二次蒸馏后使用;过硫酸铵(APS)、磺基水杨酸(SSA)均为分析纯,广东西陇化工试剂厂生产。5mmol苯胺单体与一定量的SSA(2.5、1、0.67、0.5mmol)用蒸馏水配成0.2mol/L的水溶液,20℃恒温水浴搅拌30min;5mmolAPS用蒸馏水配成0.25mol/L的水溶液;将部分的APS水溶液加入到单体溶液中磁力搅拌1min,然后加入剩余的氧化剂,在无搅拌下反应12h;产物经过滤后,60℃真空干燥24h。其中苯胺单体与SSA的摩尔比分别为2、5、7.5、10,分别记为PANI-2、PANI-5、PANI-7.5和PANI-10。
2.2材料的表征
用美国尼高力公司的360智能型FT-IR红外光谱仪进行红外光谱分析,采用KBr压片法,扫描范围为400~4000cm-1;用荷兰飞利浦X’PertproMPDXRD粉末衍射仪进行XRD分析;电化学测试在CHI660B上采用三电极体系,电解液为2mol/L的H2SO4;循环伏安法扫描电位为-0.2~1V,扫描速率为50mV/s;电化学阻抗测试频率为0.01~10kHz,扫描电位为0.01V,交流振幅为5mV;用CN61M/KDY-4型四探针仪测试样品的电导率,在压片机上15MPa压力下压成直径为2.5cm的圆形试样;用FESEM(FEINovaSEM230),FETEM(FEITecnaiG2)分析样品的形貌。
3结果与讨论
3.1FT-IR分析
图1为不同反应时间下获得的PANI中间体的红外谱图。图2为溶液的pH值随时间的变化曲线。从图1可以看出在反应初期得到的前驱体具有类似吩嗪的结构,其中反应5和30min时红外谱图中1622cm-1对应于前驱体中类似吩嗪结构的CC吸收峰,1445、1414cm-1与类似吩嗪结构中的杂环有关,864和845cm-1则与吩嗪结构低聚物中1,2,4三取位有关。反应2h后1622cm-1吸收峰消失,1445、1414cm-1吸收峰强度减弱;1580、1500cm-1的吸收峰分别为NQN及N—B—N(Q为醌环,B为苯环)的CC吸收峰;1297及1148cm-1分别对应于N—B—N中C—N及NQN结构中的极化子CN+的特征峰;1040和1022cm-1为磺酸根离子中OSO的特征峰;1240及825cm-1分别为极子化C—N+及苯环对位取代C—H的面内振动吸收峰,表明聚合物链中结构单元主要以头尾相接的方式形成聚合物[8,9]。图2的pH值随时间变化曲线分为3段:在0~25min(pH值>2.5),pH值迅速下降反应,这一阶段主要生成低聚物,25~90min(pH值<2.5),pH值缓慢下降,这一阶段部分低聚物质子化继续链增长;1.5h后溶液的pH值基本不变,表明反应基本完成,因此2h的后外谱图和12h的相似。Fig2pHvalueprofileversustimefordifferentPANI-SSA
3.2XRD及电导率分析
图3为不同n(苯胺)/n(SSA)时聚苯胺的XRD衍射图,当n(苯胺)/n(SSA)为2、5、7.5、10时,出现聚苯胺的两个特征峰2θ=25.2、20.0°,分别对应于掺杂态晶态和非晶态特征峰。图4为不同反应时间下PANI-5产物的XRD图,反应5及30min时在2θ=6.3、18.5、19.7、23.4、25.7、26.6°出现吸收峰,结合FT-IR分析,这些吸收峰可能为吩嗪类结构低聚物的特征峰。反应初期苯胺单体先形成结晶性的吩嗪类低聚物,由于溶解度低而从溶液中沉淀出来并成为纳米棒生长的模板[7]。反应12h后吩嗪类低聚物的吸收峰消失,同时在2θ=25.2、20.0°出现聚苯胺的特征吸收峰。图4n(苯胺)/n(SSA)为5时不同反应时间产物的XRD图Fig4XRDpatternsatdifferenttimeforPANI-SSAwithn(aniline)/n(SSA)=5图5为PANI-SSA的导电率随n(苯胺)/n(SSA)比的变化,当摩尔比为2、5、7.5、10时,导电率分别为1.43、8.13×10-1、1.20×10-1,5.71×10-2S/cm。表明PANI-SSA的导电率随n(SSA)/n(苯胺)的增大而增大。Wei等研究表明这与掺杂度有关[10]。图5不同n(苯胺)/n(SSA)时的聚苯胺的导电率Fig5ConductivityofPANI-SSAatdifferentn(aniline)/n(SSA)ratio
3.3电化学分析
图6是不同n(苯胺)/n(SSA)的PANI-SSA的循环伏安曲线。在2mol/L的硫酸介质中采用三电极体系研究PANI-SSA的电化学性质,低电位处(0~0.3V)的A1/C1对应于全还原态/本征态的一对氧化还原峰;在高电位(0.7~0.9V)处的A3/C3则对应于本征态/全还原态的氧化还原峰;而A2/C2(0.5~0.6V)氧化还原峰一般认为与低聚物的氧化还原降解有关。PANI-SSA材料的氧化峰随n(苯胺)/n(SSA)的增大向正电位方向移动,而还原电位向负电位方向移动,这可能与掺杂度有关,掺杂度高有利于链中电子的离域和传递,降低了PANI的氧化还原电位。各峰的强度的差别可能与材料的导电性的大小有关[11]。图62mol/L硫酸中不同PANI-SSA的伏安曲线Fig6C-VcurvesofPANI-SSAin2mol/LH2SO4图7为不同n(苯胺)/n(SSA)的PANI-SSA的Nyquist曲线。高频区均由单一容抗弧组成,表明电极过程为电化学控制过程,曲率半径随n(苯胺)/n(SSA)的增大而增大,表明电化学阻抗随n(苯胺)/n(SSA)的增大而增大,这可能与材料的导电性和掺杂度有关。
3.4PANI-SSA结构分析及纳米棒形成机理
图8为不同n(苯胺)/n(SSA)时的聚苯胺的SEM图像。图9为PANI-10((a)和(b))和PANI-5((c)和(d))的聚苯胺的TEM图像。结合图9可以看出所合成的PANI-SSA的形貌为纳米棒状结构,典型的纳米棒的直径为100~200nm,长度为400~700nm,图9(d)表明聚苯胺纳米棒表面粗糙,覆盖了1层10~25nm厚的纳米颗粒。Cosmin等[7]研究表明这层纳米级的颗粒沉积发生在溶液的pH值<2.5时,并且能够显著地提高导电性。PANI-SSA纳米棒的可能的形成机理是:当n(苯胺)/n(SSA)<1时形成苯胺磺酸盐,n(苯胺)/n(SSA)为10、7.5、5、2时溶液的pH值分别为5.6、5.35、4.90、4.16,苯胺分子与苯胺阳离子的平衡常数为PKa为4.6,此时苯胺分子与苯胺阳离子共存。初始阶段苯胺分子先氧化形成含吩嗪单元的低聚物(图10),由于它在溶液中的溶解度低形成针状的结晶,当溶液的pH值<2.5时,低聚物质子化为成核中心,成为纳米棒生长的模板。溶液pH值>2.5时纳米棒的形成占主导,pH值<2.5时纳米粒子大量形成,并沉积在纳米棒表面上形成1层10~30nm厚的纳米颗粒,从而提高了材料的导电性[12]。
4结论
采用化学氧化法以苯胺为单体,过硫酸铵为氧化剂,磺基水杨酸为掺杂酸合成聚苯胺纳米棒导电材料,通过控制单体/掺杂酸的摩尔比得到形貌结构规整的高导电聚苯胺纳米棒材料,TEM研究表明典型的纳米棒直径约为100~200nm,长度约为400~700nm,表面附着了1层10~30nm厚的纳米颗粒;纳米棒的导电率随n(苯胺)/n(SSA)增大而增大;电化学研究表明PA-NI-SSA材料的氧化峰随n(苯胺)/n(SSA)的增大向正电位方向移动,而还原电位向负电位方向移动;红外光谱及XRD研究表明反应初期形成了结晶性的吩嗪类低聚物,聚苯胺纳米棒的形成可能与这些低聚物的模板作用有关。