半导体技术杂志

主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位:中国电子科技集团公司  ISSN:1003-353X  CN:13-1109/TN

半导体技术杂志基本信息 北大期刊 统计源期刊

《半导体技术》由赵小宁担任主编,由中国电子科技集团公司第十三研究所主办的一本电子类北大期刊、统计源期刊。该刊创刊于1976年。主要刊登电子学科方面有创见的学术论文,介绍有特色的科研成果,探讨有新意的学术观点提供交流平台,扩大国内外同行学术交流。本刊为月刊,A4开本,全年定价¥316.00元。邮发代号:18-65,欢迎广大读者订阅或投稿。

基本信息:
ISSN:1003-353X
CN:13-1109/TN
期刊类别:电子
邮发代号:18-65
全年订价:¥ 316.00
出版信息:
创刊时间:1976
出版地区:河北
出版周期:月刊
出版语言:中文
主编:赵小宁
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半导体技术杂志介绍

《半导体技术》是一本由中国电子科技集团公司主管,中国电子科技集团公司第十三研究所主办的一本面向国内外公开发行的电子类期刊,该刊主要报道电子相关领域的研究成果与实践。该刊已入选北大期刊、统计源期刊。 影响因子为0.57 《半导体技术》主要内容栏目有趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术。

《半导体技术》主要发文机构有:中国电子科技集团第十三研究所(发文量715篇),该机构主要研究主题为“电路;晶体管;集成电路;单片;放大器”;河北工业大学(发文量261篇),该机构主要研究主题为“CMP;化学机械抛光;机械抛光;抛光液;抛光”;中国科学院(发文量254篇),该机构主要研究主题为“半导体;电路;激光;激光器;晶体管”。

《半导体技术》主要发文主题有半导体、电路、集成电路、晶体管、芯片、放大器、封装、二极管、单片、功耗。其中又以”半导体(1081篇)”居于榜首,发文量第二的是“电路”(1033篇),发文量第三的是“集成电路”(768篇),发文主题最少的是“功耗”,仅发文168篇。

半导体技术影响力及荣誉

半导体技术投稿注意事项

1、来稿要求:

本刊欢迎下列来稿:电子及相关学科领域的研究方面的论著,反映国内外电子学术动态的述评、论著、综述、讲座、学术争鸣的文稿,以及有指导意义的电子书刊评价等。文稿应具科学性、先进性、新颖性和实用性,内容翔实,简明扼要,重点突出,文字数据务求准确,层次清楚,标点符号准确,图表规范,书写规范。本刊不接受已公开发表的文章,严禁一稿两投。对于有涉嫌学术不端行为的稿件,编辑部将一律退稿,来稿确保不涉及保密、署名无争议等,文责自负。

2、作者简介:

述评、专家论坛、指南解读栏目来稿请附第一作者及通信作者的个人简介及近照。个人简介内容包括职称、职务、学术兼职、主要研究领域、主要研究成果、所获重大荣誉奖项等,字数以 100~300 字为宜。近照以 2 寸免冠彩色证件照为宜,格式为“.jpg”,像素不得低于 300 dpi。

3、文题:

文题力求简明、醒目,反映文稿主题,中文文题控制在 20 个汉字以内。题名中应避免使用非公知公用的缩略语、字符、代号以及结构式和公式。有英文摘要者同时给出英文文题,中英文文题含义应一致。

4、图表:

文中所有图表均需为作者自行制作而非引用他人文献中的图表。图表力求简明,设计应科学,避免与正文重复。凡能用少量文字说明的数据资料尽量不用图表。正文与表中数据应认真核对,准确无误,表内数据同一指标的有效位数应一致。

半导体技术数据统计

  • 总发文量:2255
  • 总被引量:7023
  • 平均引文率:6.5067
  • H指数:22
  • 期刊他引率:0.8215
主要发文机构分析
机构名称 发文量 主要研究主题
中国电子科技集团第十三研究所 715 电路;晶体管;集成电路;单片;放大器
河北工业大学 261 CMP;化学机械抛光;机械抛光;抛光液;抛光
中国科学院 254 半导体;电路;激光;激光器;晶体管
中国科学院微电子研究所 216 电路;晶体管;放大器;功耗;低功耗
清华大学 177 电路;集成电路;封装;半导体;芯片
复旦大学 161 电路;集成电路;封装;有限元;芯片
北京工业大学 136 晶体管;可靠性;异质结;二极管;双极晶体管
西安电子科技大学 110 电路;集成电路;放大器;晶体管;转换器
电子科技大学 102 电路;集成电路;放大器;单片;晶体管
华南理工大学 100 电路;晶体管;封装;半导体;可靠性
主要资助项目分析
资助项目 涉及文献
国家自然科学基金 1019
国家高技术研究发展计划 203
国家科技重大专项 164
国家重点基础研究发展计划 160
河北省自然科学基金 77
国家教育部博士点基金 71
北京市自然科学基金 41
广东省自然科学基金 40
天津市自然科学基金 38
江苏省自然科学基金 35
年度被引次数报告
年度参考文献报告

半导体技术文章摘录

  • p型SiC欧姆接触理论及研究进展 作者:黄玲琴; 夏马力; 谷晓钢 点击:65
  • 芯片原子钟MEMS原子气室数字温控系统设计 作者:刘召军; 李坤; 李云超; 胡旭文; 闫树斌; 张彦军 点击:42
  • 一种高精度高转换效率的LED驱动电路 作者:唐俊龙; 罗磊; 周斌腾; 肖仕勋; 谢海情; 邹望辉 点击:13
  • 一种高线性无源双平衡混频器 作者:曲韩宾; 高思鑫; 张晓朋; 高博 点击:43
  • 无凹槽AlGaN/GaN肖特基势垒二极管正向电流输运机制 作者:吴昊; 康玄武; 杨兵; 张静; 赵志波; 孙跃; 郑英奎; 魏珂; 闫江 点击:6
  • 蓝宝石衬底上槽栅型X波段增强型AlGaN/GaN HEMT 作者:顾国栋; 敦少博; 郭红雨; 韩婷婷; 吕元杰; 房玉龙; 张志荣; 冯志红 点击:16
  • 《半导体技术》稿约 作者:-- 点击:21
  • 第13届国际专用集成电路会议征稿通知 作者:-- 点击:20
  • 钝化处理对Al2O3/InP MOS电容界面特性的影响 作者:李海鸥; 李玺; 李跃; 刘英博; 孙堂友; 李琦; 李陈成; 陈永和 点击:64
  • NH3等离子体钝化对Al2O3/SiGe界面的影响 作者:朱轩民; 张静; 马雪丽; 李晓婷; 闫江; 李永亮; 王文武 点击:23
,地址:石家庄市合作路113号,邮编:50051。